Hat mich auch gewundert. Aber hier bei RICOH XR-S steht es so: Exposure Meter: TTL full open metering SPD (SILICON PHOTO DIODE) for center-weightend.
Hier noch eine andere Info:
"Some semiconductor materials are intrinsically better suited than others for fast photodiodes. For example, indium gallium arsenide (InGaAs) is particularly suitable, because that direct band gap material (in contrast to silicon, for example) exhibits a rather short absorption length, allowing the realization of very thin absorbing layers, in which the photocarriers can be quickly collected. For fast avalanche photodiodes, it is also important to have a low ratio of the impact ionization coefficients for holes and electrons."
Quelle: https://www.rp-photonics.com/photodiodes.html
Ich vertehe den Unterschied durchaus. Nur ist ja nicht nur eine Diode verbaut, sondern auch andere Bauteile wie Mikroprozessor etc.
ich habe eben nochmals gemessen. Ich komme zu dem Ergebnis, dass die Ricoh zwischen 1/3 und 2/3 stopps bei gleicher Dynamik schneller belichtet. Das könnte auf die Diode zurückzuführen sein. Im Schluss würde das bedeuten, dass ich bei deR Ricoh bei gleichen Verhänltnissen vlt. 1/3 bis 2/3tel drauf schlagen nach + korrigieren müsste.
EDIT: *Vor einer halben Stunde bei hellerem Tageslicht waren die Unterschiede höher.
Ich probiere es natürlich aus. Aber es ist interessant ....
Vielleicht hat da schon jemand Erfarung gesammelt?
lGr
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